نویسنده: بهناز رشیدی 
در بیانیه مطبوعاتی سامسونگ و سینوپسیس، این دو شرکت اعلام کردند که سامسونگ در حال آماده سازی برای تولید انبوه اولین تراشه اگزینوس 3 نانومتری هستند. البته، بیانیه مطبوعاتی به صراحت در مورد قسمت Exynos مشخص نیست.
سامسونگ با Synopsys، که یک شرکت متخصص در اتوماسیون طراحی الکترونیک می باشد، برای تنظیم دقیق کل فرآیند تولید و به حداکثر رساندن بازده و بهبود عملکرد تراشه، همکاری کرده است.
در بیانیه مطبوعاتی آمده که این دو شرکت فناوری در مراحل نهایی طراحی به نام «تاپینگ خارج» هستند.
این اولین تراشه پیچیده و با کارایی بالا سامسونگ بر اساس گره 3 نانومتری با استفاده از فرآیند Gate All Around سامسونگ (GAA) خواهد بود.
تراشه اگزینوس 3 نانومتری
ریخته‌گری‌های سامسونگ قبلاً از سال 2022 تراشه‌های 3 نانومتری تولید می‌کردند، اما این تراشه‌ها تراشه‌های ساده‌ای هستند که برای استخراج ارزهای دیجیتال استفاده می‌شوند.
در حالی که SoC مورد استفاده در دستگاه‌های تلفن همراه یک قطعه سخت‌افزار پیچیده‌تر است که به فرآیندهای طراحی و ساخت متفاوتی نیاز دارد.
اگر همه چیز طبق برنامه پیش برود، کارخانه های ریخته گری سامسونگ باید تولید انبوه نسل بعدی SoC را تا چند ماه دیگر آغاز کنند.
با این حال، مشخص نیست که آیا اولین تراشه 3 نانومتری واقعاً Exynos 2500 برای سری گلکسیS25 خواهد بود یا یک SoC دیگر. به عنوان مثال، گلکسی واچ 7 نزدیک به تولید می باشد و ممکن است با جدیدترین سخت افزار سامسونگ ارتقا یابد.
